1. 從一次電源適配器拆解說(shuō)起氮化鎵為何成為“網(wǎng)紅”前陣子我拆了一個(gè)新買的65W多口快充頭巴掌大小卻能同時(shí)給筆記本和手機(jī)滿功率充電發(fā)熱還控制得不錯(cuò)。拆開(kāi)一看里面最核心的功率開(kāi)關(guān)管用的既不是傳統(tǒng)的硅Si材料也不是前幾年火過(guò)一陣的碳化硅SiC而是一顆印著“GaN”字樣的芯片。這玩意兒就是氮化鎵GaN。這幾年從手機(jī)快充到數(shù)據(jù)中心電源再到新能源汽車的OBC車載充電機(jī)氮化鎵功率半導(dǎo)體幾乎成了“高效、小型化”的代名詞熱度居高不下。但你可能不知道的是氮化鎵這股風(fēng)潮背后遠(yuǎn)不止是幾家初創(chuàng)公司在搖旗吶喊。最近一條行業(yè)新聞引起了我的注意日本老牌半導(dǎo)體巨頭羅姆ROHM與加拿大氮化鎵技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。這可不是簡(jiǎn)單的買賣芯片而是涉及技術(shù)授權(quán)、聯(lián)合開(kāi)發(fā)乃至產(chǎn)能保障的深度綁定。一個(gè)是在模擬和功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕六十余年擁有深厚制造工藝和客戶基礎(chǔ)的“老兵”另一個(gè)是在氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)上銳意進(jìn)取擁有大量核心專利的“新銳”。他們的聯(lián)手在我看來(lái)標(biāo)志著氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在從一個(gè)“技術(shù)驗(yàn)證期”和“小眾應(yīng)用期”大步邁向“規(guī)?；慨a(chǎn)”和“主流應(yīng)用滲透”的關(guān)鍵階段。那么羅姆和GaN Systems到底要做什么這次合作對(duì)行業(yè)、對(duì)我們開(kāi)發(fā)者或產(chǎn)品工程師意味著什么更重要的是氮化鎵技術(shù)本身到底強(qiáng)在哪里又有哪些“坑”是我們?cè)谶x型和設(shè)計(jì)中必須避開(kāi)的這篇文章我就結(jié)合這次合作事件把我對(duì)氮化鎵功率半導(dǎo)體從原理、優(yōu)勢(shì)、挑戰(zhàn)到應(yīng)用選型的理解進(jìn)行一次系統(tǒng)的梳理和分享。2. 合作的底層邏輯為何是羅姆與GaN Systems要理解這次合作的價(jià)值我們得先拆解一下雙方各自的籌碼和訴求。這不是一次偶然的牽手而是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在技術(shù)換代十字路口的一次典型合縱連橫。2.1 GaN Systems的“矛”專精于設(shè)計(jì)但制造是短板GaN Systems是一家典型的Fabless無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。他們的核心優(yōu)勢(shì)全部集中在芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)IP上。垂直型晶體管結(jié)構(gòu)這是GaN Systems的一個(gè)技術(shù)特色。與常見(jiàn)的平面型GaN-on-Si硅基氮化鎵HEMT高電子遷移率晶體管不同他們的器件采用了類似“魚(yú)鰭”的立體結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計(jì)能顯著增加單位面積下的溝道寬度從而在相同芯片面積下實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻Rds(on)。簡(jiǎn)單類比就像把一條單車道公路改成了多車道單位時(shí)間內(nèi)能通過(guò)的“電流車輛”更多了擁堵?lián)p耗自然就小了。這對(duì)于追求高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用至關(guān)重要。強(qiáng)大的專利組合與設(shè)計(jì)工具在寬禁帶半導(dǎo)體這個(gè)新興領(lǐng)域?qū)＠褪亲o(hù)城河。GaN Systems積累了覆蓋器件設(shè)計(jì)、封裝、驅(qū)動(dòng)乃至應(yīng)用電路的大量專利。同時(shí)他們提供詳細(xì)的仿真模型和設(shè)計(jì)指南降低了工程師的使用門(mén)檻。應(yīng)用聚焦明確他們?cè)缙诰脱鹤⒃谙M(fèi)電子快充、數(shù)據(jù)中心、可再生能源和汽車電子等高增長(zhǎng)市場(chǎng)產(chǎn)品線從650V到100V覆蓋齊全尤其是650V/700V這個(gè)在服務(wù)器電源、光伏逆變器中非常主流的電壓等級(jí)。然而Fabless模式也有其固有挑戰(zhàn)缺乏自主的、大規(guī)模的制造能力。GaN Systems的芯片需要委托第三方晶圓代工廠如臺(tái)積電生產(chǎn)。在氮化鎵產(chǎn)能整體緊張、需求爆發(fā)的背景下產(chǎn)能保障和成本控制就成了不確定因素。此外對(duì)于汽車、工業(yè)這類對(duì)質(zhì)量體系和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求極高的市場(chǎng)僅有設(shè)計(jì)能力是不夠的還需要強(qiáng)大的工藝質(zhì)量控制、封裝測(cè)試和長(zhǎng)期供貨承諾。2.2 羅姆的“盾”制造與系統(tǒng)的深厚積淀羅姆則是另一番景象。它是IDM垂直整合制造模式從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試到銷售全鏈條自主可控。頂尖的硅基功率半導(dǎo)體工藝羅姆在MOSFET、IGBT乃至最新的SiC MOSFET領(lǐng)域都有深厚積累。其“超結(jié)MOSFET”技術(shù)在業(yè)內(nèi)享有盛譽(yù)。這意味著羅姆對(duì)功率半導(dǎo)體器件的物理特性、可靠性設(shè)計(jì)、失效機(jī)理有著教科書(shū)級(jí)的理解。這些經(jīng)驗(yàn)對(duì)于理解和優(yōu)化GaN器件至關(guān)重要因?yàn)楹芏嗟讓游锢砗涂煽啃詥?wèn)題是相通的。強(qiáng)大的制造與品控體系羅姆擁有自己的晶圓廠Fab并且其工廠通過(guò)了汽車電子最高等級(jí)的IATF 16949認(rèn)證。這意味著他們有能力在自有產(chǎn)線上以車規(guī)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)生產(chǎn)和管控GaN芯片這對(duì)于開(kāi)拓汽車市場(chǎng)是至關(guān)重要的“入場(chǎng)券”。系統(tǒng)級(jí)解決方案能力羅姆不只是賣芯片它提供從功率器件、驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC到被動(dòng)元件的完整解決方案。例如GaN晶體管開(kāi)關(guān)速度極快對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求非?？量舔?qū)動(dòng)回路哪怕多幾個(gè)納亨的電感都會(huì)引起嚴(yán)重的電壓振蕩和誤開(kāi)通。羅姆可以將其在柵極驅(qū)動(dòng)芯片方面的專長(zhǎng)與GaN Systems的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)合提供“驅(qū)動(dòng)GaN FET”的優(yōu)化組合甚至預(yù)先把關(guān)鍵的無(wú)源元件集成進(jìn)去做成模塊極大簡(jiǎn)化客戶設(shè)計(jì)。所以這次合作的本質(zhì)是優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)GaN Systems提供了最前沿的、經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的GaN晶體管設(shè)計(jì)IP羅姆則貢獻(xiàn)了其世界級(jí)的制造能力、嚴(yán)苛的品控體系、龐大的客戶網(wǎng)絡(luò)以及系統(tǒng)級(jí)的整合能力。羅姆獲得了一張進(jìn)入高性能GaN功率器件市場(chǎng)的“快車票”而GaN Systems則獲得了一個(gè)穩(wěn)定、可靠且具備車規(guī)級(jí)背書(shū)的生產(chǎn)基地和強(qiáng)大的渠道助推力。他們的目標(biāo)很明確共同加速GaN功率半導(dǎo)體在汽車和工業(yè)等高端市場(chǎng)的普及。3. 氮化鎵的“神力”與“阿喀琉斯之踵”聊完了商業(yè)合作我們回到技術(shù)本身。為什么業(yè)界對(duì)氮化鎵如此趨之若鶩它到底比傳統(tǒng)的硅Si強(qiáng)在哪里理解了這些你才能明白這次合作要爭(zhēng)奪的市場(chǎng)蛋糕有多大。3.1 三大核心優(yōu)勢(shì)快、小、冷氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料其物理特性決定了它在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的卓越性能可以概括為“快、小、冷”。開(kāi)關(guān)速度極快快GaN器件的電子遷移率很高且沒(méi)有MOSFET中固有的寄生體二極管反向恢復(fù)問(wèn)題。這使得它的開(kāi)關(guān)速度上升/下降時(shí)間可以達(dá)到納秒ns級(jí)別是傳統(tǒng)硅MOSFET的十分之一甚至更短。開(kāi)關(guān)速度快意味著什么意味著開(kāi)關(guān)損耗低。在高頻工作的開(kāi)關(guān)電源中每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生損耗頻率越高單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)越多損耗就越大。GaN的高速特性使得電源可以在更高的頻率如幾百KHz到數(shù)MHz下工作而效率依然很高。導(dǎo)通電阻小小在相同的耐壓和芯片面積下GaN器件的導(dǎo)通電阻Rds(on)通常比硅MOSFET小很多。導(dǎo)通電阻小意味著電流流過(guò)時(shí)產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗I2R就更低。更低的導(dǎo)通電阻也允許使用更小的芯片面積來(lái)實(shí)現(xiàn)相同的電流能力這直接促進(jìn)了器件和整個(gè)電源系統(tǒng)的小型化。我們看到的那些迷你快充頭核心秘密就在這里。高溫性能好冷GaN的禁帶寬度是硅的3倍多這意味著它的本征載流子濃度極低在高溫下更難發(fā)生本征激發(fā)因此能在更高的結(jié)溫下穩(wěn)定工作。同時(shí)其更高的電子飽和速度也使得高溫下的性能衰減比硅器件更平緩。雖然它本身也會(huì)發(fā)熱但因其高效率損耗小產(chǎn)生的廢熱少且耐高溫能力強(qiáng)整個(gè)系統(tǒng)的熱管理反而更容易設(shè)計(jì)顯得更“冷”。這三者結(jié)合帶來(lái)的直接效益就是高頻、高效、高功率密度。電源工程師夢(mèng)寐以求的“讓電源更小、更輕、效率更高”GaN提供了一個(gè)近乎完美的材料學(xué)答案。3.2 不容忽視的挑戰(zhàn)與設(shè)計(jì)“坑”然而GaN并非“即插即用”的萬(wàn)能靈藥。它的高性能背后是對(duì)電路設(shè)計(jì)者提出的更嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。如果沿用設(shè)計(jì)硅MOSFET的思維來(lái)用GaN十有八九會(huì)失敗。柵極脆弱易過(guò)壓擊穿大多數(shù)增強(qiáng)型GaN HEMT的柵極閾值電壓Vgs(th)很低通常在1.5V左右硅MOSFET普遍在2-4V以上而最大柵極電壓Vgs_max可能也只有6V左右硅MOSFET可達(dá)±20V。這個(gè)狹窄的“安全窗口”要求驅(qū)動(dòng)電壓必須非常精準(zhǔn)和干凈。電壓稍高一點(diǎn)就可能導(dǎo)致柵極永久性損壞電壓負(fù)向過(guò)低也可能引發(fā)可靠性問(wèn)題。因此必須使用專門(mén)為GaN優(yōu)化的低電壓、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力的柵極驅(qū)動(dòng)芯片并且要嚴(yán)格控制驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感。無(wú)體二極管但存在反向?qū)℅aN HEMT沒(méi)有像硅MOSFET那樣的寄生體二極管。但在實(shí)際橋式電路如半橋中當(dāng)上管開(kāi)通、下管關(guān)斷時(shí)電流需要流過(guò)下管。此時(shí)GaN器件可以通過(guò)一種稱為“第三象限導(dǎo)通”的機(jī)制來(lái)續(xù)流其壓降約為柵極驅(qū)動(dòng)電壓與閾值電壓之差。這個(gè)壓降比硅MOSFET體二極管的正向壓降約0.7V要低因此導(dǎo)通損耗更小這是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。但設(shè)計(jì)時(shí)必須明確知曉這一機(jī)制并確保在死區(qū)時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置正確否則可能發(fā)生直通短路。對(duì)PCB布局極度敏感由于開(kāi)關(guān)速度在納秒級(jí)PCB上任何一段走線帶來(lái)的寄生電感哪怕是幾個(gè)納亨都會(huì)在開(kāi)關(guān)瞬間產(chǎn)生巨大的感應(yīng)電壓VL*di/dt。這會(huì)引起嚴(yán)重的電壓過(guò)沖和振蕩不僅帶來(lái)EMI電磁干擾問(wèn)題還可能超過(guò)器件的耐壓值導(dǎo)致?lián)p壞。因此GaN電路的布局必須追求極致的緊湊功率回路面積要最小化驅(qū)動(dòng)回路要盡可能短且對(duì)稱通常需要采用多層板并充分利用接地平面。動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Dynamic Rds(on)這是一個(gè)容易被忽視但影響可靠性的問(wèn)題。在高壓關(guān)斷狀態(tài)下GaN器件溝道下的電子會(huì)被“陷阱”捕獲。當(dāng)器件再次開(kāi)通時(shí)這些被捕獲的電子不能立即參與導(dǎo)電導(dǎo)致初始的導(dǎo)通電阻比靜態(tài)值要高隨著時(shí)間慢慢恢復(fù)。這種現(xiàn)象在高溫、高電壓應(yīng)力的工況下更明顯。如果熱設(shè)計(jì)余量不足在啟動(dòng)或負(fù)載突變時(shí)可能因瞬時(shí)損耗過(guò)大而導(dǎo)致過(guò)熱。優(yōu)秀的器件設(shè)計(jì)和工藝可以緩解這一問(wèn)題但選型時(shí)仍需關(guān)注廠商提供的相關(guān)數(shù)據(jù)。注意驅(qū)動(dòng)GaN切忌直接套用硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路。務(wù)必仔細(xì)閱讀器件數(shù)據(jù)手冊(cè)嚴(yán)格按照推薦的驅(qū)動(dòng)電壓、柵極電阻值進(jìn)行設(shè)計(jì)并對(duì)PCB布局投入十二分的精力進(jìn)行仿真和優(yōu)化。4. 從快充到汽車氮化鎵的戰(zhàn)場(chǎng)演進(jìn)基于上述特性氮化鎵的應(yīng)用正沿著一條清晰的路徑擴(kuò)張從對(duì)成本相對(duì)敏感、但對(duì)尺寸和效率有極致追求的消費(fèi)電子逐步向可靠性要求嚴(yán)苛的工業(yè)、汽車領(lǐng)域進(jìn)軍。這也正是羅姆與GaN Systems合作所要瞄準(zhǔn)的主航道。4.1 消費(fèi)電子已成熟的“橋頭堡”手機(jī)/筆記本快充適配器是GaN第一個(gè)取得大規(guī)模商業(yè)成功的領(lǐng)域。在這里功率密度和效率是核心賣點(diǎn)。利用GaN的高頻能力可以將龐大的變壓器和電感體積大幅縮小。一個(gè)65W的GaN快充頭體積可以做到傳統(tǒng)硅方案的一半甚至更小同時(shí)保持94%以上的峰值效率。這個(gè)市場(chǎng)已經(jīng)非常卷技術(shù)成熟成本下降很快成為了GaN產(chǎn)能的“壓艙石”。4.2 數(shù)據(jù)中心與通信電源追求“電費(fèi)”的戰(zhàn)場(chǎng)服務(wù)器電源、通信基站電源是GaN正在快速滲透的下一片藍(lán)海。這里的核心訴求是效率因?yàn)殡娰M(fèi)是數(shù)據(jù)中心最大的運(yùn)營(yíng)成本之一。將傳統(tǒng)的硅基電源效率約96%換成GaN方案效率可達(dá)98%以上對(duì)于擁有數(shù)十萬(wàn)臺(tái)服務(wù)器的云廠商來(lái)說(shuō)省下的電費(fèi)是天文數(shù)字。此外高功率密度也能讓服務(wù)器機(jī)柜部署更多計(jì)算單元。這個(gè)市場(chǎng)對(duì)可靠性要求高但價(jià)格承受能力也比消費(fèi)電子強(qiáng)是GaN廠商的必爭(zhēng)之地。4.3 新能源汽車下一個(gè)萬(wàn)億級(jí)風(fēng)口這才是羅姆和GaN Systems這類巨頭聯(lián)手想要攻克的高地。汽車電子對(duì)可靠性、壽命、工作溫度范圍-40°C到150°C的要求是消費(fèi)電子的數(shù)倍。GaN在汽車上的應(yīng)用主要圍繞高壓電能轉(zhuǎn)換車載充電機(jī)OBC將交流電網(wǎng)的電轉(zhuǎn)換為電池直流電。GaN的高頻高效特性可以顯著減小OBC內(nèi)的磁性元件和散熱器體積幫助車企實(shí)現(xiàn)更緊湊的底盤(pán)布局。DC-DC轉(zhuǎn)換器將高壓電池包的電轉(zhuǎn)換為12V/48V低壓系統(tǒng)用電。同樣追求小型化和高效率。主驅(qū)動(dòng)逆變器這是電動(dòng)汽車的“心臟”控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。目前這個(gè)領(lǐng)域是碳化硅SiCMOSFET的主場(chǎng)因?yàn)槠淠蛪焊?200V以上、導(dǎo)通特性在高壓大電流下更優(yōu)。但GaN正在650V及以下電壓等級(jí)對(duì)應(yīng)400V電池平臺(tái)的逆變器中尋求突破其超高速開(kāi)關(guān)能力有助于實(shí)現(xiàn)更高的電機(jī)控制頻率和精度提升能效。進(jìn)入汽車供應(yīng)鏈光有性能不夠必須滿足AEC-Q101等車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)并通過(guò)長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的嚴(yán)苛認(rèn)證。羅姆的IDM模式及其現(xiàn)有的車規(guī)級(jí)制造與品控體系正是GaN Systems技術(shù)打入汽車前裝市場(chǎng)的“通行證”和“加速器”。4.4 工業(yè)與能源穩(wěn)健增長(zhǎng)的基石包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)ESS變流器等。這些應(yīng)用環(huán)境復(fù)雜對(duì)器件的長(zhǎng)期可靠性和魯棒性要求極高。GaN的高效率可以降低系統(tǒng)散熱成本高頻率有助于減小濾波器體積。雖然滲透速度可能慢于消費(fèi)和汽車但市場(chǎng)根基深厚需求穩(wěn)定。5. 給工程師的選型與設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)指南如果你正在考慮或已經(jīng)開(kāi)始一個(gè)采用GaN器件的電源項(xiàng)目以下是我從幾次踩坑經(jīng)歷中總結(jié)出的實(shí)戰(zhàn)要點(diǎn)。5.1 器件選型看懂?dāng)?shù)據(jù)手冊(cè)的關(guān)鍵參數(shù)拿到一份GaN FET的數(shù)據(jù)手冊(cè)不要只看電流和電壓要特別關(guān)注這幾個(gè)參數(shù)柵極電壓范圍Vgs這是生命線。確保你的驅(qū)動(dòng)電路輸出的正負(fù)電壓絕對(duì)在這個(gè)范圍內(nèi)并留有一定裕量。例如如果Vgs范圍是-5V到6V那么驅(qū)動(dòng)芯片輸出最好設(shè)置在-3V到5.5V。柵極閾值電壓Vgs(th)通常很低1-2V。這意味著噪聲更容易導(dǎo)致誤開(kāi)通。必須保證關(guān)斷時(shí)的負(fù)壓足夠如-3V以提供可靠的噪聲裕量。輸出電荷Qoss和反向恢復(fù)電荷QrrGaN的Qoss通常比同規(guī)格硅MOSFET小而Qrr幾乎為零。這直接關(guān)系到開(kāi)關(guān)損耗。計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗時(shí)要使用數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的開(kāi)關(guān)能量Eon, Eoff數(shù)據(jù)這些數(shù)據(jù)是在特定測(cè)試條件下給出的需要根據(jù)你的實(shí)際工作條件進(jìn)行折算。熱阻RthJC, RthJAGaN芯片通常很小熱阻可能比看起來(lái)大。仔細(xì)計(jì)算在最壞工況下的結(jié)溫升確保留足裕量。關(guān)注動(dòng)態(tài)Rds(on)特性它可能導(dǎo)致實(shí)際運(yùn)行中的熱耗散比靜態(tài)計(jì)算值高。推薦工作條件與絕對(duì)最大額定值絕對(duì)不要工作在絕對(duì)最大額定值附近尤其是電壓和溫度。對(duì)于GaN建議降額使用例如650V的器件在交流輸入場(chǎng)合直流母線電壓最好不要超過(guò)450V。5.2 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)精細(xì)活中的精細(xì)活驅(qū)動(dòng)IC選型選擇專門(mén)為GaN優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)芯片。這類芯片通常具有以下特點(diǎn)獨(dú)立的、可精確設(shè)置的正負(fù)電壓輸出極短的傳輸延遲和上升/下降時(shí)間10ns強(qiáng)大的拉灌電流能力2A以及欠壓鎖定UVLO保護(hù)功能。TI、ADI、英飛凌、羅姆等公司都有相應(yīng)產(chǎn)品。柵極電阻Rg它的作用不僅是控制開(kāi)關(guān)速度更是阻尼柵極回路的振蕩。值太小會(huì)導(dǎo)致振蕩嚴(yán)重和EMI問(wèn)題太大則增加開(kāi)關(guān)損耗。必須根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)推薦值并結(jié)合實(shí)際PCB布局進(jìn)行調(diào)試。通常需要在開(kāi)關(guān)波形過(guò)沖和開(kāi)關(guān)損耗之間取得平衡。驅(qū)動(dòng)回路布局這是成敗的關(guān)鍵。驅(qū)動(dòng)IC要盡可能靠近GaN FET的柵極和源極引腳。采用“開(kāi)爾文連接”將驅(qū)動(dòng)器的輸出和地直接連接到FET的柵極和源極引腳避免功率回路電流在源極寄生電感上產(chǎn)生的壓降影響驅(qū)動(dòng)電壓。使用多層板為驅(qū)動(dòng)回路提供完整的地平面。5.3 PCB布局與EMI魔鬼在細(xì)節(jié)中功率回路最小化高頻功率回路如輸入電容 - 上管 - 下管 - 輸入電容地必須形成一個(gè)最小的物理環(huán)路。將所有相關(guān)器件FETs 輸入電容緊密排列在同一面使用寬而短的銅皮連接必要時(shí)使用過(guò)孔將頂層和底層的銅皮并聯(lián)以減小阻抗和電感。地平面設(shè)計(jì)一個(gè)完整、低阻抗的地平面是抑制噪聲的基石。將信號(hào)地驅(qū)動(dòng)地、控制IC地與功率地在單點(diǎn)連接星型接地防止功率地噪聲竄入敏感的信號(hào)地。散熱設(shè)計(jì)GaN芯片雖小但功率密度高。PCB本身是重要的散熱路徑。確保FET的散熱焊盤(pán)上有足夠多的、孔徑合適的過(guò)孔連接到內(nèi)部或底層的大面積銅皮散熱層并使用熱導(dǎo)率高的焊錫填充過(guò)孔。對(duì)于大功率應(yīng)用必須考慮額外的散熱片或冷板。5.4 調(diào)試與測(cè)試示波器探頭的藝術(shù)調(diào)試GaN電路需要一臺(tái)帶寬足夠高至少200MHz推薦500MHz以上的示波器和一套高質(zhì)量的差分探頭/電流探頭。測(cè)量開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓使用高壓差分探頭如100MHz以上帶寬。注意探頭地線夾帶來(lái)的額外電感會(huì)嚴(yán)重干擾測(cè)量引發(fā)振蕩甚至損壞電路。最好使用探頭自帶的彈簧針接地附件實(shí)現(xiàn)最短的接地回路。測(cè)量柵極電壓使用高帶寬無(wú)源探頭如500MHz同樣注意接地方式。觀察開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的波形是否干凈過(guò)沖是否在安全范圍內(nèi)。測(cè)量電流使用高頻電流探頭觀察開(kāi)關(guān)電流波形。結(jié)合電壓波形可以準(zhǔn)確計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗。循序漸進(jìn)上電首次上電務(wù)必使用可調(diào)電源緩慢升高輸入電壓同時(shí)用示波器監(jiān)視關(guān)鍵波形。一旦發(fā)現(xiàn)異常如劇烈振蕩、電壓尖峰超標(biāo)立即斷電檢查。6. 展望合作生態(tài)下的未來(lái)與個(gè)人思考羅姆與GaN Systems的合作是氮化鎵產(chǎn)業(yè)走向成熟的一個(gè)標(biāo)志性事件。它預(yù)示著未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)將不再是單一器件性能的比拼而是生態(tài)系統(tǒng)能力的較量。這個(gè)生態(tài)包括先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)與制造工藝、與之完美匹配的驅(qū)動(dòng)與控制IC、優(yōu)化的封裝技術(shù)如將驅(qū)動(dòng)、GaN FET甚至無(wú)源元件集成在一起的模塊、詳盡可靠的應(yīng)用支持、以及穩(wěn)定的產(chǎn)能和供應(yīng)鏈保障。對(duì)于像我這樣的應(yīng)用工程師來(lái)說(shuō)這是個(gè)好消息。更成熟的生態(tài)意味著更易用的解決方案、更豐富的參考設(shè)計(jì)、更少的設(shè)計(jì)“坑”。我們可以更專注于系統(tǒng)層面的創(chuàng)新而不是在器件驅(qū)動(dòng)和布局上耗費(fèi)過(guò)多精力。從我個(gè)人的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)來(lái)看氮化鎵技術(shù)的導(dǎo)入是一個(gè)系統(tǒng)工程不能抱有“換個(gè)器件就能提升效率”的簡(jiǎn)單想法。它要求設(shè)計(jì)者在器件物理、電路拓?fù)洹⒖刂撇呗?、電磁兼容、熱管理和布局布線等方面都有更深入的理解。初期投入的學(xué)習(xí)成本和調(diào)試時(shí)間會(huì)比較高但一旦掌握其帶來(lái)的系統(tǒng)性能提升和體積優(yōu)勢(shì)是革命性的。最后一個(gè)實(shí)用的建議如果你是初學(xué)者想體驗(yàn)GaN不妨從一塊成熟的評(píng)估板EVM開(kāi)始。各大廠商包括GaN Systems和羅姆合作后推出的產(chǎn)品的EVM都經(jīng)過(guò)了精心設(shè)計(jì)和布局是學(xué)習(xí)波形測(cè)量、理解布局精髓的最佳教材。先“照葫蘆畫(huà)瓢”再嘗試自己設(shè)計(jì)這個(gè)路徑會(huì)穩(wěn)妥很多。氮化鎵的世界很精彩但入門(mén)需要腳踏實(shí)地從讀懂?dāng)?shù)據(jù)手冊(cè)的每一個(gè)細(xì)節(jié)開(kāi)始。