1.get_attribute_value_list [get_pins xx_CORE/u_xx_top/u_sram_wtsel_1_dft_mx/CI1] -name tie_value獲取某個pin 的值應該類似dc 工具get_attribute [get_pin *] case_value2.mbist 中添加新測試算法方法3.4.string map 命令用于根據(jù)字符映射對字符串進行轉(zhuǎn)換如果指定了-nocase選項則在替換時不考慮大小寫差異例如string map {f p d l} foodstring map {f pp d ll oo a} food5獲取parent instance可以看到這里的接口控制管腳遠遠多于簡單的memory array的控制需求具體每一個管腳的配置用途詳見下表管腳 方向 描述 分類VDD 輸入 外圍控制器件供電 電源地VDDM 輸入 memory array供電 電源地VSS 輸入 memory array和外圍器件接地 電源地A[*] 輸入 地址輸入 功能D[*] 輸入 數(shù)據(jù)輸入 功能BWEB[*] 輸入 位寫控制 功能CEB 輸入 片選 功能WEB 輸入 寫控制 功能REDENIO 輸入 列修復冗余控制 功能Q[*] 輸出 memory array 數(shù)據(jù)輸出 功能FADIO[*] 輸入 失效位地址控制 BIST測試DM[*] 輸入 BIST數(shù)據(jù)輸入 BIST測試AM[*] 輸入 BIST地址輸入 BIST測試BWEBM[*] 輸入 BIST位寫控制 BIST測試CEBM 輸入 BIST片選 BIST測試WEBM 輸入 BIST寫控制 BIST測試BIST 輸入 BIST控制 BIST測試DSLP 輸入 deep sleep模式memory array訪問禁止但是memory數(shù)據(jù)會被保存 低功耗控制SD 輸入 shut down關(guān)斷全部memory array和絕大部分外設(shè)邏輯 低功耗控制PUDELAY_SD 輸出 shutdown 輸出標記用于指引低功耗策略 低功耗PUDELAY_DSLP 輸出 deepsleep 輸出標記用于指引低功耗策略 低功耗DSLPLV 輸入 deepsleep模式下retention diode的bypass控制 低功耗TSEL pin : WTSEL[]/RTSEL[] 輸入 時序微調(diào) 測試TSEL pin : WTSEL[]/RTSEL[] 輸入 時序微調(diào) 測試TSEL pin : WASEN 輸入 寫輔助使能 測試TSEL pin : WASSEL[*] 輸入 寫輔助微調(diào) 測試6.scan chain 分組步驟7. bsd 如何分組串chain1.讀pin_order_file2.劃分group8.9.用 tessent shell insert mbist回路在TAP protocal中為什么TCK period一定要是BIST CLK period的4倍?應該是TCK作為BIST_CLK的data pin用如果TCK period 4 x BIST_CLK的話TCKBIST_EN之后就不是一個全period信號導致后面BIST_CLK FF可能踩不到正確值10.merge external fault 到test coverage統(tǒng)計