先描述一個(gè)我前幾天剛處理的現(xiàn)場(chǎng)。一塊STM32F103C8T6的板子用來(lái)做一個(gè)小型儀表需要用掉電保存的方式存校準(zhǔn)參數(shù)和累計(jì)數(shù)據(jù)。圖省事直接選了ST官方的X-CUBE-EEPROM模擬庫(kù)按例程初始化、讀寫(xiě)、連續(xù)開(kāi)關(guān)機(jī)測(cè)試一切都很順利。結(jié)果換到產(chǎn)線上一批新板子大約有百分之三的板子一上電就卡死看門(mén)狗反復(fù)復(fù)位。接上調(diào)試器一看EE_Init()的返回值清清楚楚寫(xiě)著EE_NO_PAGE_FOUND。這個(gè)錯(cuò)誤對(duì)第一次用這個(gè)庫(kù)的開(kāi)發(fā)者來(lái)說(shuō)真的很容易踩到。官方的API文檔里只寫(xiě)了一句“找不到有效頁(yè)”至于什么情況下找不到、為什么找不到、怎么定位和修復(fù)基本要靠自己從代碼里翻。這篇文章我就圍繞這個(gè)錯(cuò)誤拆開(kāi)講清楚X-CUBE-EEPROM在Flash上模擬EEPROM的機(jī)制、EE_NO_PAGE_FOUND產(chǎn)生的具體環(huán)節(jié)以及我排查這個(gè)問(wèn)題時(shí)的完整路徑和修復(fù)方案。準(zhǔn)備做掉電存儲(chǔ)、正在用這個(gè)庫(kù)、或者已經(jīng)遇到類似報(bào)錯(cuò)的朋友可以對(duì)照自己的工程一步步查下去。1. 先搞清楚這個(gè)報(bào)錯(cuò)到底從哪來(lái)1.1 一個(gè)典型的故障現(xiàn)場(chǎng)先說(shuō)現(xiàn)場(chǎng)。上電后程序卡死EE_Init()返回EE_NO_PAGE_FOUND我第一反應(yīng)是Flash擦除不干凈于是用STM32CubeProgrammer把整片F(xiàn)lash做了Mass Erase重新燒錄固件板子恢復(fù)正常。但過(guò)了兩天又有一批板子出現(xiàn)同樣問(wèn)題這就不是“偶然沒(méi)擦干凈”能解釋的了。拿故障板逐一檢查發(fā)現(xiàn)這批板的EEPROM模擬區(qū)在出廠測(cè)試時(shí)被測(cè)試程序?qū)懭肓藬?shù)據(jù)后來(lái)燒錄正式固件時(shí)只擦除了程序區(qū)沒(méi)有擦EEPROM模擬區(qū)。新固件的模擬區(qū)起始地址和頁(yè)大小配置跟測(cè)試程序不一樣庫(kù)里找不到它認(rèn)識(shí)的“頁(yè)頭”自然報(bào)EE_NO_PAGE_FOUND。這類問(wèn)題的根源不是代碼邏輯而是Flash上的歷史數(shù)據(jù)殘留和配置不匹配。還有一類非常隱蔽的故障程序里加入了低功耗模式在EE_Write寫(xiě)Flash過(guò)程中遇到掉電頁(yè)頭寫(xiě)到一半頁(yè)狀態(tài)處于中間態(tài)。下次上電時(shí)庫(kù)嘗試恢復(fù)發(fā)現(xiàn)頁(yè)頭校驗(yàn)不通過(guò)把它當(dāng)作壞頁(yè)處理如果所有頁(yè)都進(jìn)入這種狀態(tài)同樣會(huì)報(bào)這個(gè)錯(cuò)誤。1.2 X-CUBE-EEPROM是干什么的X-CUBE-EEPROM是ST官方發(fā)布的軟件擴(kuò)展包解決的是“MCU內(nèi)部沒(méi)有EEPROM又不想外掛一顆”的場(chǎng)景。它借助STM32內(nèi)部的Flash用軟件方式模擬出一塊可頻繁寫(xiě)入的小容量存儲(chǔ)區(qū)提供類似EEPROM的EE_Write和EE_Read接口支持按虛擬地址讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。不少人一聽(tīng)到Emulator就聯(lián)想到Android模擬器那一套其實(shí)完全兩碼事。這里的Emulator是在MCU內(nèi)部的、利用Flash模擬非易失存儲(chǔ)的軟件層。X-CUBE-EEPROM本質(zhì)上是ST對(duì)“Flash模擬EEPROM”方案的封裝屏蔽了底層頁(yè)管理、磨損均衡和掉電恢復(fù)細(xì)節(jié)。它適合的MCU帶內(nèi)部Flash、存儲(chǔ)參數(shù)在幾千字節(jié)以內(nèi)、寫(xiě)入頻率不極端的場(chǎng)景比如儀表校準(zhǔn)參數(shù)、設(shè)備序列號(hào)、累計(jì)運(yùn)行時(shí)間、用戶配置項(xiàng)等。它的典型接口就幾個(gè)EE_Init()負(fù)責(zé)初始化存儲(chǔ)區(qū)并找到當(dāng)前有效頁(yè)EE_Write()寫(xiě)入一個(gè)虛擬地址對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)EE_Read()讀出來(lái)。用起來(lái)很簡(jiǎn)單但正因?yàn)楹?jiǎn)單很多人忽略了它背后的頁(yè)管理邏輯一旦出錯(cuò)就無(wú)從下手。1.3 錯(cuò)誤碼表里它排在哪在庫(kù)的錯(cuò)誤碼枚舉中EE_NO_PAGE_FOUND是其中一個(gè)狀態(tài)。不同版本枚舉定義略有差異但通常包括以下幾個(gè)含義明確的錯(cuò)誤碼錯(cuò)誤碼含義EE_OK操作成功EE_BUSYFlash正在忙上次操作未完成EE_RANGE虛擬地址越界EE_NO_PAGE沒(méi)有空閑頁(yè)可用EE_NO_VALID_PAGE存在頁(yè)但沒(méi)有有效頁(yè)EE_NO_VALID_ADDRESS沒(méi)有找到對(duì)應(yīng)虛擬地址的有效數(shù)據(jù)EE_NO_PAGE_FOUND在初始化或頁(yè)轉(zhuǎn)移時(shí)沒(méi)有找到任何可用頁(yè)EE_NO_PAGE_FOUND在錯(cuò)誤碼體系里屬于“災(zāi)難級(jí)”錯(cuò)誤因?yàn)樗ǔ３霈F(xiàn)在系統(tǒng)啟動(dòng)階段。一旦EE_Init()返回這個(gè)錯(cuò)后面所有讀寫(xiě)都不可用程序基本只能停機(jī)或進(jìn)錯(cuò)誤處理分支。2. 追根溯源它為何會(huì)找不到“頁(yè)”2.1 模擬EEPROM的基本原理要理解這個(gè)錯(cuò)誤得先明白為什么需要“頁(yè)”。Flash和EEPROM最大的區(qū)別是擦除粒度EEPROM能按字節(jié)擦寫(xiě)而內(nèi)部Flash只能按扇區(qū)或頁(yè)整片擦除擦除后每一位回到1。因此直接在Flash上按“某個(gè)地址存某個(gè)值”的方式做掉電保存更新一次數(shù)據(jù)就要擦除整個(gè)扇區(qū)效率低且壽命差。X-CUBE-EEPROM采用了一種類似日志文件的策略把Flash劃分成多個(gè)頁(yè)寫(xiě)入時(shí)只在當(dāng)前活動(dòng)頁(yè)的末尾追加一條新記錄而不是修改舊記錄。每次寫(xiě)入包含“虛擬地址數(shù)據(jù)”的記錄舊記錄暫時(shí)保留等頁(yè)寫(xiě)滿了再做一次垃圾回收把最新數(shù)據(jù)挑出來(lái)復(fù)制到新頁(yè)然后擦除舊頁(yè)。這樣把頻繁小寫(xiě)入分?jǐn)偟秸麄€(gè)頁(yè)空間避免反復(fù)擦除同一扇區(qū)也提升了寫(xiě)入次數(shù)。這就是“模擬”二字的核心它不再像真實(shí)EEPROM那樣按字節(jié)尋址而是用“頁(yè)記錄”的方式實(shí)現(xiàn)非易失存儲(chǔ)。庫(kù)把數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)封裝好對(duì)上層提供虛擬地址讀寫(xiě)接口底層則是一套頁(yè)管理狀態(tài)機(jī)。2.2 頁(yè)的生命周期與狀態(tài)機(jī)每個(gè)頁(yè)的開(kāi)頭都有一小塊頁(yè)頭數(shù)據(jù)里面記錄了頁(yè)的狀態(tài)、頁(yè)標(biāo)識(shí)、以及這個(gè)頁(yè)里管理的虛擬地址信息。頁(yè)頭狀態(tài)決定了這個(gè)頁(yè)在庫(kù)的工作流中處于什么角色通常包括這幾類已擦除狀態(tài)整頁(yè)都是0xFF可以被當(dāng)作新頁(yè)使用。接收/寫(xiě)入狀態(tài)正在往這個(gè)頁(yè)追加記錄但尚未真正激活。有效狀態(tài)當(dāng)前正在被使用的頁(yè)可以被讀寫(xiě)。待擦除狀態(tài)已經(jīng)完成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移等待被擦除。EE_Init()啟動(dòng)后做的事情就是遍歷所有頁(yè)讀取頁(yè)頭識(shí)別出哪些頁(yè)是合法的有效頁(yè)并把其中一個(gè)選定為當(dāng)前活動(dòng)頁(yè)。如果頁(yè)頭內(nèi)容完整且正確庫(kù)就能正常繼續(xù)如果所有頁(yè)頭都無(wú)法被識(shí)別庫(kù)就會(huì)認(rèn)為這里沒(méi)有可用頁(yè)拋出EE_NO_PAGE_FOUND。這非常像在雜亂的倉(cāng)庫(kù)里找一份特定編號(hào)的貨單如果所有貨單都被撕得只剩碎片倉(cāng)庫(kù)管理員只能告訴你“找不到”。Flash里的數(shù)據(jù)殘留、被其他程序覆蓋過(guò)的區(qū)域、或者掉電導(dǎo)致頁(yè)頭寫(xiě)了一半都會(huì)造成這種“找不到”。2.3 兩個(gè)最常觸發(fā)EE_NO_PAGE_FOUND的環(huán)節(jié)排查這個(gè)問(wèn)題時(shí)要區(qū)分它是在哪個(gè)調(diào)用點(diǎn)觸發(fā)的因?yàn)樘幚矸绞酵耆煌?。第一個(gè)環(huán)節(jié)是EE_Init()初始化時(shí)。這個(gè)場(chǎng)景下庫(kù)需要找一個(gè)可用的有效頁(yè)作為工作頁(yè)如果所有頁(yè)的頁(yè)頭都不符合預(yù)期立即返回錯(cuò)誤。最常見(jiàn)的誘因是Flash模擬區(qū)域根本沒(méi)有被正確初始化過(guò)或者區(qū)域里是別的數(shù)據(jù)。比如程序里配置的模擬區(qū)起始地址被其他代碼段占用編譯出來(lái)的固件實(shí)際把程序?qū)戇M(jìn)了模擬區(qū)Flash上自然找不到有效頁(yè)頭。第二個(gè)環(huán)節(jié)是垃圾回收或頁(yè)轉(zhuǎn)移Page Transfer過(guò)程中?；顒?dòng)頁(yè)寫(xiě)滿之后庫(kù)需要在剩余頁(yè)里找一個(gè)空閑頁(yè)來(lái)搬移數(shù)據(jù)如果所有剩余頁(yè)都處于非空閑或損壞狀態(tài)庫(kù)會(huì)在這個(gè)點(diǎn)返回EE_NO_PAGE_FOUND。這通常是因?yàn)轫?yè)數(shù)量配置得過(guò)少或者某次掉電寫(xiě)入破壞了多個(gè)頁(yè)的狀態(tài)導(dǎo)致轉(zhuǎn)移無(wú)法繼續(xù)。我遇到的產(chǎn)線故障屬于第一類但排障過(guò)程中必須把兩個(gè)環(huán)節(jié)都考慮到不然修好這個(gè)場(chǎng)景下一個(gè)場(chǎng)景又會(huì)踩雷。3. 一步步排查從配置到落盤(pán)3.1 先核對(duì)庫(kù)的配置別急著懷疑代碼邏輯遇到EE_NO_PAGE_FOUND先別把重心放在找代碼bug上最優(yōu)先的檢查項(xiàng)是庫(kù)的配置文件。X-CUBE-EEPROM的配置通常在eeprom_conf.h或eeprom_cfg.h里核心是三個(gè)參數(shù)模擬區(qū)起始地址、頁(yè)大小、頁(yè)數(shù)量。我碰到的第一次誤判就是這個(gè)環(huán)節(jié)一開(kāi)始以為是Flash損壞反復(fù)擦除燒錄后來(lái)用CubeProgrammer查看Flash內(nèi)存才發(fā)現(xiàn)模擬區(qū)起始地址配錯(cuò)了。比如STM32F103C8T6的Flash從0x08000000開(kāi)始固件本身占用了前32KB如果配置里把模擬區(qū)起始地址寫(xiě)在0x08000000庫(kù)會(huì)把程序代碼當(dāng)成頁(yè)數(shù)據(jù)去解析頁(yè)頭解析當(dāng)然全部失敗。正確做法是先把起始地址放在固件結(jié)束之后留出足夠余量的位置同時(shí)確認(rèn)頁(yè)大小等于MCU實(shí)際的Flash扇區(qū)大小。不同型號(hào)的扇區(qū)大小不一樣有的是1KB有的是2KB甚至4KB務(wù)必查手冊(cè)確認(rèn)不能照抄別人的例程。配置項(xiàng)檢查要點(diǎn)模擬區(qū)起始地址必須在固件占用區(qū)域之后且與某個(gè)扇區(qū)邊界對(duì)齊頁(yè)大小必須等于MCU實(shí)際扇區(qū)大小否則地址錯(cuò)位頁(yè)數(shù)量至少2頁(yè)推薦4頁(yè)以上太少會(huì)導(dǎo)致頻繁垃圾回收3.2 檢查Flash上的實(shí)際狀態(tài)配置沒(méi)問(wèn)題之后第二步是看Flash上到底有什么。用STM32CubeProgrammer連接板子在Memory窗口直接跳到模擬區(qū)起始地址一頁(yè)一頁(yè)地看內(nèi)容。如果是全0xFF說(shuō)明是干凈的已擦除狀態(tài)。這種情況下EE_Init()理論上應(yīng)該能自動(dòng)初始化第一頁(yè)不應(yīng)報(bào)錯(cuò)。如果此時(shí)仍然報(bào)錯(cuò)就要檢查是不是庫(kù)版本里把“首次初始化”邏輯放在某個(gè)條件后面或者配置方式有誤。如果看到的是隨機(jī)數(shù)據(jù)、全0x00、或者明顯的程序代碼說(shuō)明這個(gè)區(qū)域之前被寫(xiě)入過(guò)別的內(nèi)容。這時(shí)候分兩種情況如果是開(kāi)發(fā)階段直接擦除這幾個(gè)扇區(qū)再試如果是產(chǎn)線就要檢查燒錄流程是否漏了擦除步驟。我踩過(guò)的一個(gè)坑是用J-Flash燒錄時(shí)只下載了應(yīng)用程序固件沒(méi)有包含EEPROM模擬區(qū)的擦除動(dòng)作導(dǎo)致舊測(cè)試數(shù)據(jù)一直殘留在Flash里正式程序一跑就報(bào)錯(cuò)。檢查Flash內(nèi)容時(shí)有個(gè)小技巧如果頁(yè)頭的前幾個(gè)字節(jié)能看出來(lái)像是狀態(tài)標(biāo)記比如常見(jiàn)的一些狀態(tài)值可以手動(dòng)比對(duì)是不是庫(kù)能識(shí)別的格式如果完全是一堆亂碼基本可以判斷是區(qū)域被別的數(shù)據(jù)占了。3.3 代碼調(diào)用時(shí)序與動(dòng)態(tài)擴(kuò)容排查配置和Flash內(nèi)容都正常仍然報(bào)錯(cuò)就得從代碼調(diào)用時(shí)序出發(fā)。我見(jiàn)過(guò)一個(gè)比較典型的問(wèn)題有人為了“提速”在EE_Init()完成前就提前調(diào)用了EE_Write()庫(kù)內(nèi)部的頁(yè)表還沒(méi)建立寫(xiě)操作發(fā)生異常之后初始化就卡在錯(cuò)誤狀態(tài)。正確的調(diào)用順序一定是系統(tǒng)上電先調(diào)用EE_Init()確認(rèn)返回EE_OK后再進(jìn)行任何EE讀寫(xiě)操作。這個(gè)順序被打破時(shí)很多詭異問(wèn)題都會(huì)冒出來(lái)。另一個(gè)是動(dòng)態(tài)擴(kuò)容場(chǎng)景。有些項(xiàng)目在運(yùn)行中動(dòng)態(tài)調(diào)整存儲(chǔ)策略比如從每字節(jié)一條記錄改成批量寫(xiě)入如果調(diào)用EE_Write時(shí)頁(yè)空間不足且沒(méi)有空閑頁(yè)可用就可能觸發(fā)垃圾回收邏輯而垃圾回收需要空閑頁(yè)沒(méi)有空閑頁(yè)就報(bào)EE_NO_PAGE_FOUND。換句話說(shuō)不是初始化出問(wèn)題而是運(yùn)行到中途存儲(chǔ)區(qū)滿了。這種情況要重點(diǎn)看頁(yè)數(shù)量是否足夠。以我常用的4頁(yè)配置為例假設(shè)每頁(yè)1KB每4字節(jié)一條記錄一頁(yè)能存256條記錄。如果應(yīng)用每秒寫(xiě)一條一頁(yè)不到半天就寫(xiě)滿必然頻繁觸發(fā)垃圾回收如果回收時(shí)機(jī)被其他中斷拖住就容易累積異常狀態(tài)。生產(chǎn)環(huán)境建議根據(jù)寫(xiě)入頻率和寫(xiě)入量估算頁(yè)數(shù)量是否夠用不要機(jī)械照搬例程。3.4 修復(fù)后的完整驗(yàn)證流程定位到原因、修改配置或擦除Flash后一定要跑一套完整的驗(yàn)證流程不能只驗(yàn)證“現(xiàn)在能開(kāi)機(jī)”。我的驗(yàn)證步驟是這樣的第一步全新燒錄固件上電后確認(rèn)EE_Init()返回EE_OK隨后寫(xiě)入一組已知數(shù)據(jù)斷電再上電讀取校驗(yàn)確認(rèn)掉電保存生效。第二步連續(xù)寫(xiě)入幾百次每次改寫(xiě)不同虛擬地址期間人為斷電幾次確認(rèn)數(shù)據(jù)不丟并且不進(jìn)入錯(cuò)誤分支。第三步用調(diào)試器把Flash模擬區(qū)域填充成隨機(jī)數(shù)據(jù)模擬歷史殘留再上電確認(rèn)程序能識(shí)別異常狀態(tài)并且不會(huì)卡死。第三步很多人會(huì)忽略但恰恰是模擬“產(chǎn)線不良板”最有效的手段。程序應(yīng)當(dāng)對(duì)EE_Init()失敗有明確的后續(xù)策略比如進(jìn)入恢復(fù)模式、恢復(fù)默認(rèn)參數(shù)并重新初始化存儲(chǔ)區(qū)而不是直接死循環(huán)。這不僅是修bug更是在做產(chǎn)品級(jí)的健壯性。4. 踩坑記錄與問(wèn)題速查4.1 我在這個(gè)錯(cuò)誤上踩過(guò)的坑這里集中寫(xiě)幾個(gè)我實(shí)際踩過(guò)、并且花費(fèi)了不少時(shí)間才弄明白的細(xì)節(jié)希望能幫你少走彎路。第一個(gè)坑是“調(diào)試器復(fù)位后報(bào)錯(cuò)直接上電不報(bào)錯(cuò)”。這個(gè)現(xiàn)象特別迷惑。原因是調(diào)試器在連接過(guò)程中可能把模擬區(qū)內(nèi)存改寫(xiě)或破壞了也可能是復(fù)位瞬間調(diào)試器訪問(wèn)了Flash。當(dāng)時(shí)我花了半天懷疑EEPROM驅(qū)動(dòng)有問(wèn)題最后發(fā)現(xiàn)是調(diào)試器配置里把Flash下載算法設(shè)置成了全片擦除每次按復(fù)位鍵都觸發(fā)了擦除。所以遇到只在調(diào)試模式下復(fù)現(xiàn)的問(wèn)題先檢查調(diào)試器對(duì)Flash的訪問(wèn)設(shè)置。第二個(gè)坑是“換了一個(gè)庫(kù)版本后突然報(bào)錯(cuò)”。X-CUBE-EEPROM不同版本的頁(yè)頭格式可能不兼容。老版本寫(xiě)的頁(yè)頭新版本解析時(shí)可能不識(shí)別導(dǎo)致找不到有效頁(yè)。這個(gè)問(wèn)題在開(kāi)發(fā)中途升級(jí)庫(kù)時(shí)特別容易踩。如果你升級(jí)過(guò)庫(kù)又遇到了EE_NO_PAGE_FOUND別急著查業(yè)務(wù)邏輯先確認(rèn)是否需要做一次數(shù)據(jù)遷移或者徹底擦除重建。第三個(gè)坑是“看門(mén)狗復(fù)位導(dǎo)致寫(xiě)入中斷”?？撮T(mén)狗超時(shí)復(fù)位時(shí)如果恰好正在執(zhí)行EE_WriteFlash寫(xiě)入被中斷頁(yè)頭可能處于半寫(xiě)狀態(tài)。雖然庫(kù)理論上支持掉電恢復(fù)但極端情況下仍可能損壞頁(yè)狀態(tài)。解決辦法是寫(xiě)入Flash的代碼段里臨時(shí)關(guān)閉看門(mén)狗或者把寫(xiě)Flash的任務(wù)優(yōu)先級(jí)調(diào)高防止被頻繁打斷寫(xiě)完成后再恢復(fù)看門(mén)狗。4.2 EE_NO_PAGE_FOUND問(wèn)題速查表最后整理一張速查表方便你對(duì)照排查。實(shí)際項(xiàng)目里大部分場(chǎng)景都能落到下面幾類原因中?，F(xiàn)象可能原因解決方法全新板首次上電報(bào)錯(cuò)模擬區(qū)起始地址配置錯(cuò)誤被程序代碼覆蓋修正起始地址確保在固件末尾之后且扇區(qū)對(duì)齊同批次部分板子報(bào)錯(cuò)產(chǎn)線燒錄流程未擦除舊數(shù)據(jù)或舊固件占用模擬區(qū)燒錄流程中增加整片擦除或指定區(qū)域擦除程序運(yùn)行一段時(shí)間后報(bào)錯(cuò)頁(yè)數(shù)量不足垃圾回收時(shí)無(wú)空閑頁(yè)增加頁(yè)數(shù)量或降低寫(xiě)入頻率、合并寫(xiě)入調(diào)試器連接時(shí)報(bào)錯(cuò)直接上電正常調(diào)試器下載算法全片擦除或調(diào)試過(guò)程破壞了Flash修改調(diào)試器Flash下載算法只下載程序區(qū)域升級(jí)庫(kù)版本后報(bào)錯(cuò)新舊版本頁(yè)頭格式不兼容備份數(shù)據(jù)后徹底擦除重建或做數(shù)據(jù)遷移看門(mén)狗復(fù)位后偶發(fā)報(bào)錯(cuò)Flash寫(xiě)入被復(fù)位中斷頁(yè)狀態(tài)損壞寫(xiě)Flash區(qū)域臨時(shí)關(guān)閉看門(mén)狗或提高寫(xiě)任務(wù)優(yōu)先級(jí)排查EE_NO_PAGE_FOUND總體思路就是三層先查配置對(duì)不對(duì)再查Flash里實(shí)際有什么最后查調(diào)用時(shí)序和運(yùn)行壓力。絕大多數(shù)情況下問(wèn)題出在前兩層——配置錯(cuò)位或者歷史數(shù)據(jù)殘留。把這三步走完基本都能定位到根因。我做這類調(diào)試時(shí)還有個(gè)習(xí)慣在EE_Init()返回非EE_OK時(shí)把具體的錯(cuò)誤碼和模擬區(qū)首地址通過(guò)調(diào)試串口打出來(lái)這樣即使板子在沒(méi)有調(diào)試器的環(huán)境下運(yùn)行也能通過(guò)日志快速判斷問(wèn)題類型。加上這個(gè)輸出之后產(chǎn)線定位故障的效率會(huì)高很多建議你也這么干。