1. 為什么偏偏是 MRAM 加 PIC18 這個(gè)組合1.1 從兩個(gè)器件的定位說(shuō)起MR25H40CDF 是一顆 4Mbit 的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也就是 MRAM接口是標(biāo)準(zhǔn) SPI。PIC18LF47K40 是 Microchip 自家的一款 8 位單片機(jī)帶 SPI 外設(shè)工作電壓范圍寬低功耗版本在 1.8V 到 3.6V 之間都能跑。把這兩顆芯片放在一起本質(zhì)上是在解決一個(gè)很具體的問(wèn)題工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)和嵌入式設(shè)備里需要一種既能像 RAM 一樣快速隨機(jī)寫入、又能在斷電后保住數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)同時(shí)主控又不想上太復(fù)雜的文件系統(tǒng)或者外部存儲(chǔ)控制器。我最早接觸這個(gè)組合是在一個(gè)數(shù)據(jù)采集終端項(xiàng)目上。那個(gè)設(shè)備每分鐘要記錄一次傳感器讀數(shù)包括溫度、壓力、流量還要保存設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)和故障日志。一開始用的是 EEPROM寫次數(shù)很快就到瓶頸了一天寫一千多次一年就是三十多萬(wàn)次EEPROM 的百萬(wàn)次擦寫壽命看著夠但實(shí)際工業(yè)環(huán)境里溫度一高壽命衰減比手冊(cè)上寫的快得多。后來(lái)?yè)Q成 FRAM價(jià)格又上去了。再后來(lái)看到 MRAM讀寫速度接近 SRAM寫壽命幾乎無(wú)限功耗還低就決定試一試。MR25H40CDF 的 4Mbit 容量換算過(guò)來(lái)是 512KB對(duì)于存日志、配置參數(shù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、斷點(diǎn)續(xù)傳的緩存來(lái)說(shuō)這個(gè)容量剛剛好。它不需要像 Flash 那樣先擦后寫也不需要像 EEPROM 那樣等寫入周期完成SPI 接口直接發(fā)命令就能讀寫對(duì) PIC18 這種資源有限的 8 位機(jī)來(lái)說(shuō)驅(qū)動(dòng)寫起來(lái)非常輕。1.2 SPI 接口在這套方案里的角色SPI 是這套方案里唯一的通信橋梁。PIC18LF47K40 的 MSSP 模塊可以配置成 SPI 主模式MR25H40CDF 作為從設(shè)備四根線SCK、SDI、SDO、CS。這里有個(gè)細(xì)節(jié)MR25H40CDF 的 SPI 模式支持 Mode 0 和 Mode 3也就是 CPOL 和 CPHA 的組合。實(shí)際用下來(lái)Mode 0 最穩(wěn)因?yàn)榇蠖鄶?shù) 8 位機(jī)的 SPI 外設(shè)默認(rèn)就是 Mode 0時(shí)鐘空閑低電平數(shù)據(jù)在上升沿采樣。SPI 時(shí)鐘頻率方面MR25H40CDF 最高支持 40MHz但 PIC18LF47K40 在 3.3V 下 SPI 時(shí)鐘最快也就 10MHz 左右具體取決于系統(tǒng)時(shí)鐘和分頻設(shè)置。我一般會(huì)把 SPI 時(shí)鐘設(shè)在 4MHz 到 8MHz 之間原因有兩個(gè)一是 8 位機(jī)的 SPI 移位寄存器在高速下容易受 PCB 走線影響二是 MRAM 本身讀寫沒(méi)有等待周期4MHz 已經(jīng)足夠快沒(méi)必要為了那點(diǎn)速度去冒信號(hào)完整性的風(fēng)險(xiǎn)。注意MR25H40CDF 的 CS 建立時(shí)間和保持時(shí)間要留夠手冊(cè)上寫的是 CS 下降沿到第一個(gè) SCK 上升沿至少 5ns最后一個(gè) SCK 下降沿到 CS 上升沿至少 5ns。實(shí)際布線時(shí)如果 CS 走線太長(zhǎng)建議在軟件里加幾個(gè) NOP 再拉 CS別小看這幾個(gè)納秒我遇到過(guò)因?yàn)?CS 時(shí)序不對(duì)導(dǎo)致讀出來(lái)全是 0xFF 的情況。1.3 這套方案適合誰(shuí)如果你在做工業(yè)數(shù)據(jù)記錄儀、智能儀表、醫(yī)療設(shè)備、車載終端或者任何需要頻繁寫入小量數(shù)據(jù)、又不想上文件系統(tǒng)的嵌入式項(xiàng)目這套組合值得認(rèn)真考慮。它不適合大容量存儲(chǔ)場(chǎng)景512KB 存不了音頻和圖像但存參數(shù)、日志、狀態(tài)機(jī)快照、掉電保護(hù)數(shù)據(jù)綽綽有余。對(duì)嵌入式軟件工程師來(lái)說(shuō)驅(qū)動(dòng)寫起來(lái)不復(fù)雜對(duì)硬件工程師來(lái)說(shuō)外圍電路簡(jiǎn)單不需要額外的電荷泵或者升壓電路。2. MR25H40CDF 的底層操作邏輯2.1 命令集與地址空間MR25H40CDF 的命令集很精簡(jiǎn)核心就幾條WREN、WRDI、RDSR、WRSR、READ、WRITE。地址是 19 位因?yàn)?4Mbit 等于 512K 字節(jié)需要 19 根地址線才能覆蓋。SPI 傳輸時(shí)地址分三個(gè)字節(jié)發(fā)第一個(gè)字節(jié)的最高三位是無(wú)效的實(shí)際有效的是低 5 位加上后面兩個(gè)完整字節(jié)湊成 19 位。讀操作最簡(jiǎn)單拉低 CS發(fā) READ 命令 0x03接著發(fā)三個(gè)字節(jié)地址然后就可以連續(xù)讀數(shù)據(jù)了地址會(huì)自動(dòng)遞增讀到 512KB 末尾會(huì)回卷到 0。寫操作稍微多一步先發(fā) WREN 命令 0x06拉高 CS再拉低 CS發(fā) WRITE 命令 0x02發(fā)地址發(fā)數(shù)據(jù)。寫完之后 CS 拉高數(shù)據(jù)才真正寫入 MRAM 單元。這里有個(gè)和 Flash 完全不同的地方MRAM 不需要擦除。Flash 寫之前必須先擦整個(gè)扇區(qū)MRAM 直接覆蓋寫就行。這意味著你的驅(qū)動(dòng)里不需要維護(hù)擦除狀態(tài)也不需要做磨損均衡。我一開始還習(xí)慣性地想加擦除邏輯后來(lái)發(fā)現(xiàn)完全是多余的。2.2 狀態(tài)寄存器與寫保護(hù)狀態(tài)寄存器里有兩個(gè)位值得關(guān)注WEL 和 BP0、BP1。WEL 是寫使能鎖存每次寫操作前必須通過(guò) WREN 命令置位寫完成后自動(dòng)清零。BP0 和 BP1 是塊保護(hù)位可以保護(hù)部分地址空間不被寫入。工業(yè)場(chǎng)景里我一般會(huì)把配置參數(shù)區(qū)設(shè)成寫保護(hù)防止程序跑飛時(shí)誤改校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。狀態(tài)寄存器的讀法拉低 CS發(fā) RDSR 命令 0x05然后讀一個(gè)字節(jié)。這個(gè)字節(jié)的 bit0 是 WELbit1 是 WEL 的鏡像bit2 和 bit3 是 BP0 和 BP1bit7 是狀態(tài)寄存器的寫保護(hù)位。實(shí)際調(diào)試時(shí)如果寫不進(jìn)去第一件事就是讀狀態(tài)寄存器看 WEL 有沒(méi)有置起來(lái)。2.3 時(shí)序參數(shù)與實(shí)操計(jì)算MR25H40CDF 的讀寫周期時(shí)間很短手冊(cè)上寫的是 35ns 左右但這是芯片內(nèi)部的操作時(shí)間SPI 接口的傳輸時(shí)間才是瓶頸。假設(shè) SPI 時(shí)鐘 4MHz一個(gè)字節(jié) 8 位傳輸時(shí)間是 2 微秒。寫一個(gè) 32 字節(jié)的數(shù)據(jù)包加上命令和地址開銷總共 36 字節(jié)傳輸時(shí)間約 72 微秒。如果每分鐘寫一次平均功耗幾乎可以忽略。但如果你要做高頻采集比如每毫秒寫一次那就要算一下總線占用率。每毫秒 72 微秒占用率 7.2%對(duì) PIC18 來(lái)說(shuō)完全可以接受。我實(shí)測(cè)過(guò)在 8MHz SPI 時(shí)鐘下連續(xù)寫 512 字節(jié)的緩沖區(qū)耗時(shí)大約 520 微秒包括 CS 翻轉(zhuǎn)和命令開銷。提示MRAM 的寫操作是即時(shí)完成的不像 Flash 需要等待內(nèi)部編程周期。所以 WRITE 命令發(fā)完CS 拉高之后數(shù)據(jù)就已經(jīng)在 MRAM 里了不需要輪詢狀態(tài)寄存器等待寫完成。這一點(diǎn)在掉電保護(hù)場(chǎng)景里特別重要斷電瞬間只要 CS 已經(jīng)拉高數(shù)據(jù)就安全了。3. PIC18LF47K40 的 SPI 外設(shè)配置3.1 MSSP 模塊初始化步驟PIC18LF47K40 的 SPI 用 MSSP1 模塊配置步驟我習(xí)慣按這個(gè)順序來(lái)設(shè)置 TRIS 寄存器把 SCK、SDO 設(shè)成輸出SDI 設(shè)成輸入CS 用普通 GPIO 控制。關(guān)閉 MSSP 模塊清零 SSP1CON1 的 SSPEN 位。設(shè)置 SSP1STAT 的 CKE 位和 SSP1CON1 的 CKP 位確定 SPI 模式。Mode 0 對(duì)應(yīng) CKE0、CKP0。設(shè)置 SSP1CON1 的 SSPM 位選主模式時(shí)鐘分頻。比如 SSPM0b0000 是 Fosc/4。使能 MSSP置位 SSPEN。配置 CS 引腳為輸出默認(rèn)拉高。這里有個(gè)坑PIC18 的 SPI 發(fā)送和接收是同一個(gè)寄存器 SSP1BUF。寫 SSP1BUF 啟動(dòng)發(fā)送讀 SSP1BUF 獲取接收數(shù)據(jù)。發(fā)送完成標(biāo)志是 SSP1IF但實(shí)際用的時(shí)候我一般直接輪詢 SSP1STAT 的 BF 位BF 置位表示接收緩沖區(qū)滿這時(shí)候讀 SSP1BUF 就能拿到數(shù)據(jù)。3.2 字節(jié)收發(fā)函數(shù)的寫法底層字節(jié)收發(fā)函數(shù)是整個(gè)驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)我一般寫成這樣uint8_t spi_transfer(uint8_t data) { SSP1BUF data; while (!SSP1STATbits.BF); return SSP1BUF; }這個(gè)函數(shù)看起來(lái)簡(jiǎn)單但有幾個(gè)細(xì)節(jié)要注意。第一SSP1BUF 是雙緩沖的寫進(jìn)去之后硬件自動(dòng)開始移位讀的時(shí)候如果 BF 沒(méi)置位讀出來(lái)的是上次的舊數(shù)據(jù)。第二在高速 SPI 下while 循環(huán)等待 BF 的時(shí)間很短但如果編譯器優(yōu)化等級(jí)太高可能會(huì)把循環(huán)優(yōu)化掉建議加 volatile 或者用 NOP 填充。CS 的控制我單獨(dú)寫函數(shù)void mram_cs_low(void) { LATCbits.LATC0 0; __delay_us(1); } void mram_cs_high(void) { __delay_us(1); LATCbits.LATC0 1; }那個(gè) 1 微秒的延時(shí)是為了滿足 CS 建立和保持時(shí)間雖然手冊(cè)上只要求 5ns但實(shí)際 PCB 上走線有電容多等一點(diǎn)更穩(wěn)。3.3 讀寫函數(shù)的完整實(shí)現(xiàn)讀函數(shù)void mram_read(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint16_t len) { mram_cs_low(); spi_transfer(0x03); spi_transfer((addr 16) 0x07); spi_transfer((addr 8) 0xFF); spi_transfer(addr 0xFF); for (uint16_t i 0; i len; i) { buf[i] spi_transfer(0x00); } mram_cs_high(); }寫函數(shù)void mram_write(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint16_t len) { mram_cs_low(); spi_transfer(0x06); mram_cs_high(); mram_cs_low(); spi_transfer(0x02); spi_transfer((addr 16) 0x07); spi_transfer((addr 8) 0xFF); spi_transfer(addr 0xFF); for (uint16_t i 0; i len; i) { spi_transfer(buf[i]); } mram_cs_high(); }注意地址的高 3 位被屏蔽掉了因?yàn)?19 位地址最大就是 0x7FFFF。如果你傳的地址超過(guò)這個(gè)范圍實(shí)際會(huì)回卷所以上層調(diào)用時(shí)要自己保證地址合法。注意WREN 命令和 WRITE 命令之間必須拉高 CS這是 MRAM 的協(xié)議要求。我見(jiàn)過(guò)有人把 WREN 和 WRITE 放在同一個(gè) CS 低電平周期里結(jié)果寫不進(jìn)去。手冊(cè)上寫得很清楚WREN 之后 CS 必須有一個(gè)上升沿寫使能鎖存才會(huì)生效。4. 工業(yè)場(chǎng)景下的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)策略4.1 日志存儲(chǔ)的環(huán)形緩沖區(qū)設(shè)計(jì)工業(yè)設(shè)備日志的特點(diǎn)是寫入頻繁、讀取少、需要保留最近一段時(shí)間的數(shù)據(jù)。我在 MRAM 里劃出 256KB 做日志區(qū)用環(huán)形緩沖區(qū)管理。每條日志固定 32 字節(jié)包含時(shí)間戳、傳感器數(shù)據(jù)、狀態(tài)碼、校驗(yàn)和。寫指針和讀指針存在 MRAM 的固定地址里每次寫入后更新寫指針。環(huán)形緩沖區(qū)的容量是 256KB 除以 32 字節(jié)等于 8192 條日志。按每分鐘一條算可以存 5 天多的數(shù)據(jù)。如果設(shè)備每天上傳一次完全夠用。寫指針和讀指針的更新要原子操作我一般先寫數(shù)據(jù)再更新寫指針最后更新校驗(yàn)。如果斷電發(fā)生在寫數(shù)據(jù)之后、更新指針之前那條日志會(huì)被視為無(wú)效下次啟動(dòng)時(shí)跳過(guò)。4.2 配置參數(shù)的雙備份機(jī)制配置參數(shù)區(qū)我放在 MRAM 的前 4KB分成兩份每份 2KB互為備份。每份包含一個(gè)頭部頭部里有版本號(hào)、長(zhǎng)度、CRC32 校驗(yàn)。寫入時(shí)先寫備份區(qū)再寫主區(qū)。讀取時(shí)先讀主區(qū)校驗(yàn)失敗再讀備份區(qū)。如果兩個(gè)都失敗加載默認(rèn)參數(shù)。這個(gè)雙備份機(jī)制在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)救過(guò)我好幾次。有一次設(shè)備在寫入?yún)?shù)時(shí)突然斷電主區(qū)的 CRC 校驗(yàn)失敗但備份區(qū)是完整的設(shè)備啟動(dòng)后自動(dòng)恢復(fù)了參數(shù)沒(méi)有停機(jī)。4.3 掉電保護(hù)與數(shù)據(jù)完整性MRAM 的最大優(yōu)勢(shì)就是掉電不丟數(shù)據(jù)但前提是數(shù)據(jù)已經(jīng)寫進(jìn)去了。在掉電檢測(cè)電路觸發(fā)中斷后PIC18 還有幾十毫秒的供電時(shí)間足夠把關(guān)鍵數(shù)據(jù)寫進(jìn) MRAM。我一般會(huì)在掉電中斷里做三件事保存當(dāng)前狀態(tài)機(jī)快照、更新日志寫指針、寫一個(gè)掉電標(biāo)記。下次上電時(shí)看到掉電標(biāo)記就知道上次是非正常關(guān)機(jī)可以做相應(yīng)的恢復(fù)處理。提示掉電中斷里不要做復(fù)雜計(jì)算只做最必要的寫入。MRAM 寫入速度快但 SPI 傳輸需要時(shí)間32 字節(jié)的數(shù)據(jù)在 4MHz SPI 下需要約 72 微秒加上命令開銷不到 100 微秒。只要供電電容夠大完全來(lái)得及。5. 調(diào)試過(guò)程中踩過(guò)的坑與排查方法5.1 SPI 讀出來(lái)全是 0xFF 或 0x00這是最常見(jiàn)的問(wèn)題。0xFF 通常表示 MISO 線一直高電平0x00 表示一直低電平。排查順序先確認(rèn) CS 有沒(méi)有正常拉低。用示波器看 CS 引腳如果一直是高說(shuō)明 GPIO 配置錯(cuò)了。確認(rèn) SCK 有沒(méi)有波形。如果沒(méi)有檢查 MSSP 模塊有沒(méi)有使能SSPM 位有沒(méi)有設(shè)對(duì)。確認(rèn) MISO 線有沒(méi)有接對(duì)。MR25H40CDF 的 SDO 接 PIC 的 SDI很多人會(huì)接反。確認(rèn) MRAM 的供電和地有沒(méi)有接好。我遇到過(guò)因?yàn)榈鼐€虛焊導(dǎo)致讀出來(lái)全是 0xFF 的情況。5.2 寫入后讀出來(lái)數(shù)據(jù)不對(duì)寫入不成功的原因通常有幾個(gè)WREN 命令沒(méi)有正確發(fā)送或者 WREN 和 WRITE 之間沒(méi)有 CS 上升沿。地址超出了 19 位范圍導(dǎo)致回卷到錯(cuò)誤位置。狀態(tài)寄存器的塊保護(hù)位被設(shè)置了目標(biāo)地址被保護(hù)。SPI 模式不對(duì)MRAM 支持 Mode 0 和 Mode 3如果 PIC 配成 Mode 1 或 Mode 2數(shù)據(jù)會(huì)錯(cuò)位。我一般會(huì)寫一個(gè)測(cè)試函數(shù)先往地址 0x00000 寫 0x55再讀出來(lái)對(duì)比。如果不對(duì)再往 0x7FFFF 寫 0xAA讀出來(lái)對(duì)比。這樣可以快速定位是地址問(wèn)題還是數(shù)據(jù)問(wèn)題。5.3 高速 SPI 下的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤當(dāng) SPI 時(shí)鐘超過(guò) 8MHz 時(shí)如果 PCB 走線太長(zhǎng)或者沒(méi)有阻抗匹配容易出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。解決方法降低 SPI 時(shí)鐘到 4MHz 測(cè)試如果正常說(shuō)明是信號(hào)完整性問(wèn)題。在 SCK 和 MOSI 上串 22 歐姆到 33 歐姆的電阻減少反射。縮短走線盡量讓 PIC 和 MRAM 靠近。在 MRAM 的 VCC 引腳旁邊加 0.1uF 和 1uF 的退耦電容。5.4 常見(jiàn)問(wèn)題速查表現(xiàn)象可能原因排查方法讀出來(lái)全是 0xFFMISO 未連接或 CS 未拉低示波器看 CS 和 MISO 波形讀出來(lái)全是 0x00MISO 對(duì)地短路或 MRAM 未供電萬(wàn)用表測(cè) MISO 對(duì)地電阻寫入后數(shù)據(jù)不變WREN 未生效或塊保護(hù)讀狀態(tài)寄存器看 WEL 和 BP 位數(shù)據(jù)錯(cuò)位SPI 模式不對(duì)確認(rèn) CPOL0, CPHA0高速下偶發(fā)錯(cuò)誤信號(hào)完整性降速測(cè)試加串阻地址回卷地址超過(guò) 0x7FFFF檢查地址計(jì)算邏輯6. 性能實(shí)測(cè)與優(yōu)化建議6.1 讀寫速度實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)我在 PIC18LF47K40 上跑了幾個(gè)測(cè)試系統(tǒng)時(shí)鐘 64MHzSPI 時(shí)鐘 8MHz結(jié)果如下操作數(shù)據(jù)量耗時(shí)單字節(jié)寫1 字節(jié)約 8 微秒32 字節(jié)寫32 字節(jié)約 45 微秒512 字節(jié)寫512 字節(jié)約 520 微秒單字節(jié)讀1 字節(jié)約 6 微秒512 字節(jié)讀512 字節(jié)約 515 微秒寫操作比讀操作多了一個(gè) WREN 命令和 CS 翻轉(zhuǎn)所以單字節(jié)寫比單字節(jié)讀慢一點(diǎn)。但批量寫的時(shí)候WREN 的開銷被攤薄了512 字節(jié)寫的耗時(shí)和讀差不多。6.2 功耗優(yōu)化MR25H40CDF 的待機(jī)電流很低典型值 10 微安左右。寫操作時(shí)電流會(huì)升到幾毫安但持續(xù)時(shí)間很短。對(duì)于電池供電的設(shè)備我一般會(huì)在不訪問(wèn) MRAM 時(shí)把 CS 拉高讓 MRAM 進(jìn)入待機(jī)模式。PIC18 的 SPI 模塊在不使用時(shí)也可以關(guān)閉進(jìn)一步降低功耗。實(shí)測(cè)下來(lái)一個(gè)每分鐘寫一次日志的設(shè)備MRAM 的平均功耗不到 1 微安對(duì)整體功耗幾乎沒(méi)有影響。6.3 代碼優(yōu)化技巧把常用的讀寫函數(shù)放在 RAM 里執(zhí)行減少 Flash 訪問(wèn)時(shí)間。用 DMA 或者中斷驅(qū)動(dòng)的 SPI 傳輸減少 CPU 等待時(shí)間。PIC18LF47K40 沒(méi)有 DMA但可以用 SPI 中斷。批量讀寫時(shí)盡量一次傳輸多個(gè)字節(jié)減少 CS 翻轉(zhuǎn)次數(shù)。地址計(jì)算用位操作代替乘除法PIC18 的乘除法比較慢。提示如果你用的是 XC8 編譯器記得把優(yōu)化等級(jí)開到 -O2 或者 -O3否則 SPI 傳輸函數(shù)里的循環(huán)會(huì)生成很冗余的代碼。我對(duì)比過(guò)優(yōu)化前后 512 字節(jié)寫的耗時(shí)差了將近 30%。7. 這套方案還能怎么擴(kuò)展MR25H40CDF 加 PIC18LF47K40 的組合本質(zhì)上是一個(gè)小型的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。如果你需要更大的容量可以并聯(lián)多顆 MRAM用不同的 CS 控制。如果需要更高的可靠性可以在 MRAM 里做三副本存儲(chǔ)每次寫入寫三份讀取時(shí)投票。如果需要和上位機(jī)通信可以在 PIC18 上跑一個(gè)簡(jiǎn)單的 Modbus 協(xié)議把 MRAM 里的數(shù)據(jù)映射成寄存器。我在一個(gè)項(xiàng)目里把 MRAM 分成了四個(gè)區(qū)參數(shù)區(qū)、日志區(qū)、緩存區(qū)、固件備份區(qū)。固件備份區(qū)存的是 PIC18 的固件鏡像配合 Bootloader 可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程升級(jí)。升級(jí)失敗時(shí)Bootloader 從 MRAM 里讀回舊固件恢復(fù)運(yùn)行。這個(gè)方案在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)很實(shí)用因?yàn)楝F(xiàn)場(chǎng)設(shè)備拆機(jī)燒錄的成本太高。最后分享一個(gè)小技巧MRAM 的寫壽命幾乎是無(wú)限的但 SPI 接口的 CS 引腳有機(jī)械壽命限制如果你用繼電器控制 CS那壽命就受限了。所以 CS 一定要用 GPIO 直接控制不要經(jīng)過(guò)任何機(jī)械開關(guān)。另外MRAM 的數(shù)據(jù)保持時(shí)間在 85 度下是 10 年如果設(shè)備工作在更高溫度建議定期刷新數(shù)據(jù)比如每年重寫一次關(guān)鍵參數(shù)區(qū)。